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  • SI2302ADS-T1-E3
    neuheiten

    SI2302ADS-T1-E3

    N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V Current - Continuous Drain (...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 1500
    Preis0.25 EUR zzgl. MwSt.
  • SI2303BDS-T1-E3
    neuheiten

    SI2303BDS-T1-E3

    Single P-Channel, MOSFET Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain C...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 4224
    Preis0.50 EUR zzgl. MwSt.
  • SI2304BDS-T1-E3
    neuheiten

    SI2304BDS-T1-E3

    MOSFET N-Channel Technology: Si Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 2000
    Preis0.45 EUR zzgl. MwSt.
  • SI2307DS
    neuheiten

    SI2307DS

    Beschreibung: P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Datenblatt: SI2307DS.pdf...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 800
    Preis0.25 EUR zzgl. MwSt.
  • SI2307DS-T1
    neuheiten

    SI2307DS-T1

    Beschreibung: Single P-Channel, MOSFET -30V / -3A / 0,064 Ohm Datenblatt: SI2307DS.pdf...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 2800
    Preis0.35 EUR zzgl. MwSt.
  • SI2308BDS-T1-GE3
    neuheiten

    SI2308BDS-T1-GE3

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vds = 60V - Rdson= 0.156 Ohm at Vgs=10V - ID = 2.3A - Qg = 2.3nC - APPLICATIONS: Battery Switch, DC/DC Converter Dat...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 2000
    Preis0.35 EUR zzgl. MwSt.
  • SI4966DY-T1-E3
    neuheiten

    SI4966DY-T1-E3

    Beschreibung: Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Datenblatt: SI4966DY.pdf...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 1750
    Preis0.50 EUR zzgl. MwSt.
  • SI5486DU-T1-GE3
    neuheiten

    SI5486DU-T1-GE3

    N-Channel MOSFET Drain to Source Voltage Vdss: 20 V Current - Continuous Drain Id: 12A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max): ...
    Marke : Vishay
    Anzahl : 2000
    Preis1.05 EUR zzgl. MwSt.
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