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SI2303BDS-T1-E3
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Produkt 24 von 48
Dieses Produkt haben wir am Montag, den 06. Mai 2013 in unseren Katalog aufgenommen.

SI2303BDS-T1-E3

Artikelnummer 12733
Hersteller Vishay
Lagerbestand: 4224
Ident-Code SI2303BDST1E3
Date Code 07+
VPE 3000
Verpackung Tape & Reel
Bauform SOT-23
RoHs-konform ja
Preis zzgl. MwSt.:
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Preise pro Stück0.50 EUR0.46 EUR0.38 EUR0.32 EUR
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Bewertungen
Single P-Channel, MOSFET

Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Id - Continuous Drain Current: 2.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Qg - Gate Charge: 2.6 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C

Datenblatt: SI2303BDS.pdf