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IPB80N06S2-05
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Produkt 5 von 6
Dieses Produkt haben wir am Freitag, den 22. Januar 2016 in unseren Katalog aufgenommen.

IPB80N06S2-05

Artikelnummer 14440
Hersteller Infineon
Lagerbestand: 0
Ident-Code IPB80N06S2-05
Date Code 2012+
VPE 1
Verpackung cut tape
Bauform PG-TO263-3-2
RoHs-konform ja
Preis zzgl. MwSt.:
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Bewertungen
OptiMos N-Channel Power Transistor 55V/80A/4.8mOhm

- N-channel - Enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- 175°C operating temperature
- Green package (lead free)
- Ultra low Rds(on)
- 100% Avalanche tested
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
- Id - Continuous Drain Current: 80 A
- Rds On - Drain-Source Resistance: 4.8 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
- Minimum Operating Temperature: - 55 C
- Maximum Operating Temperature: + 175 C
- Configuration: Single
- Pd - Power Dissipation: 300 W

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