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2SC2979
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Produkt 12 von 14
Dieses Produkt haben wir am Donnerstag, den 30. März 2017 in unseren Katalog aufgenommen.

2SC2979

Hersteller Hitachi
Lagerbestand: 200
Ident-Code 2SC2979
Date Code 1995+
VPE 1
Verpackung Box
Bauform TO-220
RoHs-konform nein
Preis zzgl. MwSt.:
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Preise pro Stück2.00 EUR1.90 EUR1.75 EUR
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Bewertungen
Silicon NPN Triple Diffused

- High voltage, high speed and high power switching
- Collector to base voltage VCBO: 900 V
- Collector to emitter voltage VCEO: 800 V
- Emitter to base voltage VEBO: 7 V
- Collector current IC: 3 A
- Collector peak current IC(peak): 6 A
- Base current IB: 1.5 A
- Collector power dissipation PCtot: 40 W
- Junction temperature Tj: 150 °C
- Storage temperature Tstg: –55 to +150 °C

Datenblatt: 2SC4686A.pdf