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Produkt 6 von 7

Dieses Produkt haben wir am Mittwoch, den 17. Januar 2018 in unseren Katalog aufgenommen.

BFG196

Hersteller	Infineon
Lagerbestand:	11000
Ident-Code	BFG196 E6327
Date Code	2010+
VPE	1000
Verpackung	T&R
Bauform	SOT-89
RoHs-konform	ja

Preis zzgl. MwSt.:

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Beschreibung

NPN Silicon RF Transistor

- Kollektor-Emitterspannung VCEO max.: 12 V
- Kollektor-Basisspannung VCBO: 20 V
- Emitter-Basisspannung VEBO: 2 V
- Maximaler Kollektorgleichstrom (DC): 0.15 A
- Bandbreitengewinnungsprodukt fT: 7500 MHz
- Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
- For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunication
systems up to 1.5 GHz at collector currents from 20 mA to 80 mA
- Power amplifier for DECT and PCN Systems
- fT = 7.5 GHz F = 1.5 dB at 900 GHz

Datenblatt: BFG196.pdf