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NGTB40N120FL3WG
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Dieses Produkt haben wir am Mittwoch, den 21. Dezember 2022 in unseren Katalog aufgenommen.

NGTB40N120FL3WG

Hersteller ON-Semiconductor
Lagerbestand: 0
Ident-Code NGTB40N120FL3WG
Date Code 21+
VPE 25
Verpackung tube
Bauform TO-247-3
RoHs-konform ja
Preis zzgl. MwSt.:
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IGBT Transistors

Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 160 A
Pd - Power Dissipation: 454 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C

Datenblatt: NGTB40N120FL3WG.pdf

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