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SI2304BDS-T1-E3
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Produkt 48 von 48
Dieses Produkt haben wir am Dienstag, den 07. Januar 2025 in unseren Katalog aufgenommen.

SI2304BDS-T1-E3

Hersteller Vishay
Lagerbestand: 12000
Ident-Code SI2304BDS-T1-E3
Date Code 22+
VPE 3000
Verpackung T&R
Bauform SOT-23
RoHs-konform ja
Preis zzgl. MwSt.:
Ihre gewünschte Anzahl1+3000+ 6000+ 12000+ 
Preise pro Stück0.12 EUR0.11 EUR0.09 EUR0.07 EUR
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Bewertungen
MOSFET N-Channel

Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Id - Continuous Drain Current: 2.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Qg - Gate Charge: 2.6 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C

Datenblatt: SI2304BDS.pdf