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Neue Produkte

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  • SFP9644
    neuheiten
    Im Shop seit: 19.03.2018
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    SFP9644

    Hersteller: Fairchild
    Advanced Power P-Channel MOSFET - Transistor Polarity: P-Channel - Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 250 V - Id - Continuous Drain Current: - 8.6 A...
    Preis0.60 EUR zzgl. MwSt.
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  • KSC5042M
    neuheiten
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    KSC5042M

    Hersteller: Fairchild
    High Voltage Switchihg Dynamic Focus Application - High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BVCEO=900V - Small Cob =2.8pF (Typ.) - Wide S.O.A - High r...
    Preis0.40 EUR zzgl. MwSt.
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  • BUZ349
    neuheiten
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    BUZ349

    Hersteller: Siemens
    SIPMOS Power Transistor - N channel - Enhancement mode - Avalanche-rated - VDS= 100V - Id= 32A - Rds(on) = 0,06 Ohm Datenblatt: BUZ349.pdf...
    Preis3.50 EUR zzgl. MwSt.
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  • KSC5042F
    neuheiten
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    KSC5042F

    Hersteller: Fairchild
    High Voltage Switchihg Dynamic Focus Application - High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BVCEO=900V - Small Cob =2.8pF (Typ.) - Wide S.O.A - High r...
    Preis2.00 EUR zzgl. MwSt.
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  • SSS3N90A
    neuheiten
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    SSS3N90A

    Hersteller: Fairchild
    N-Channel Power MOSFET - BVDSS = 900 V - RDS(on) = 6.2 Ohm - ID = 2 A - Avalanche Rugged Technology - Rugged Gate Oxide Technology - Lower Input Capac...
    Preis3.00 EUR zzgl. MwSt.
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  • SSS10N60A
    neuheiten
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    SSS10N60A

    Hersteller: Fairchild
    N-Channel Power MOSFET - BVDSS = 600 V - RDS(on) = 0.8 Ohm - ID = 5.1 A - Avalanche Rugged Technology - Rugged Gate Oxide Technology - Lower Input Cap...
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  • SFP9644
    neuheiten
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    SFP9644

    Hersteller: Fairchild
    Advanced Power P-Channel MOSFET - Transistor Polarity: P-Channel - Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 250 V - Id - Continuous Drain Current: - 8.6 A - Rds On - Drain-Source Resistance: 800 mOhms - Vgs - Gate-Source Voltage: 30 V - Minimum Operating Temperature: - 55 C - Maximum Operating Temperature: + 150 C - Pd - Power ...
  • KSC5042M
    neuheiten
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    KSC5042M

    Hersteller: Fairchild
    High Voltage Switchihg Dynamic Focus Application - High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BVCEO=900V - Small Cob =2.8pF (Typ.) - Wide S.O.A - High reliability - VCBO Collector-Base Voltage 1500 V - VCEO Collector-Emitter Voltage 900 V - VEBO Emitter-Base Voltage 5 V - IC Collector Current (DC) 100 mA - ICP Collector Curre...
  • BUZ349
    neuheiten
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    BUZ349

    Hersteller: Siemens
    SIPMOS Power Transistor - N channel - Enhancement mode - Avalanche-rated - VDS= 100V - Id= 32A - Rds(on) = 0,06 Ohm Datenblatt: BUZ349.pdf...
  • KSC5042F
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    KSC5042F

    Hersteller: Fairchild
    High Voltage Switchihg Dynamic Focus Application - High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BVCEO=900V - Small Cob =2.8pF (Typ.) - Wide S.O.A - High reliability - VCBO Collector-Base Voltage 1500 V - VCEO Collector-Emitter Voltage 900 V - VEBO Emitter-Base Voltage 5 V - IC Collector Current (DC) 100 mA - ICP Collector Curre...
  • SSS3N90A
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    SSS3N90A

    Hersteller: Fairchild
    N-Channel Power MOSFET - BVDSS = 900 V - RDS(on) = 6.2 Ohm - ID = 2 A - Avalanche Rugged Technology - Rugged Gate Oxide Technology - Lower Input Capacitance - Improved Gate Charge - Extended Safe Operating Area Datenblatt: SSS3N90A.pdf...
  • SSS10N60A
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    SSS10N60A

    Hersteller: Fairchild
    N-Channel Power MOSFET - BVDSS = 600 V - RDS(on) = 0.8 Ohm - ID = 5.1 A - Avalanche Rugged Technology - Rugged Gate Oxide Technology - Lower Input Capacitance - Improved Gate Charge - Extended Safe Operating Area Datenblatt: SSS10N60A.pdf...
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