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neuheitenIm Shop seit: 19.09.2012Zuletzt bearbeitet am: 19.09.2012Preis60.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 18.09.2012Zuletzt bearbeitet am: 17.03.2022ADG736BRMZ
Hersteller: Analog DevicesCMOS Low Voltage 2.5 Ω Dual SPDT Switch Datenblatt: ADG736.pdf...Preis1.44 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 18.09.2012Zuletzt bearbeitet am: 18.09.2012MAX6412UK16+T
Hersteller: MaximBeschreibung: Low-Power, Single/Dual-Voltage μP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay Datenblatt: MAX6412.pdf...Preis1.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 18.09.2012Zuletzt bearbeitet am: 04.04.2023Preis0.15 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 18.09.2012Zuletzt bearbeitet am: 23.05.2018
SI1912EDH-T1-E3
Hersteller: VishayDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FET Type: Dual N-Channel FET Feature: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (...Preis0.25 EUR zzgl. MwSt.
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ADG736BRMZ
Hersteller: Analog DevicesCMOS Low Voltage 2.5 Ω Dual SPDT Switch Datenblatt: ADG736.pdf...
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MAX6412UK16+T
Hersteller: MaximBeschreibung: Low-Power, Single/Dual-Voltage μP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay Datenblatt: MAX6412.pdf... -
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neuheitenIm Shop seit: 18.09.2012Zuletzt bearbeitet am: 23.05.2018Preis0.25 EUR zzgl. MwSt.
SI1912EDH-T1-E3
Hersteller: VishayDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FET Type: Dual N-Channel FET Feature: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 1.13A Rds On (Max): 280 mOhm Vgs(th) (Max): 450mV Gate Charge (Qg): 1nC Max Power: 570mW Operating Temperature: -55°C / 150°C Datenblatt: SI1912EDH.pdf...
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