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Neue Produkte
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neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 17.03.2020HFA08TB60S
Hersteller: International RectifierUltrafast, Soft Recovery Diode 600V / 8A Vr - Reverse Voltage: 600 V If - Forward Current: 8 A Configuration: Single Vf - Forward Voltage: 1.4 V Max Su...Preis1.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 09.02.2011Preis25.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 08.06.2020CM100DY-24NF
Hersteller: Mitsubishi SemiconductorHigh Power IGBT Module 1200V / 100A DC Collector Current: 100A Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.2kV Collector Emitter Voltage V(br)ceo: ...Preis50.00 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 09.02.2011GL451V
Hersteller: Sharp SemiconductorBeschreibung: Bidirectional Emission Type Infrared Light Emitting Diode Datenblatt: GL451.pdf...Preis1.25 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 04.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 15.03.2018Preis12.50 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 04.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 01.10.2021IRFL9110TRPBF
Hersteller: International RectifierP-Channel HEXFET® Power MOSFET 100V/1,1A Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - C...Preis0.56 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 17.03.2020Preis1.00 EUR zzgl. MwSt.
HFA08TB60S
Hersteller: International RectifierUltrafast, Soft Recovery Diode 600V / 8A Vr - Reverse Voltage: 600 V If - Forward Current: 8 A Configuration: Single Vf - Forward Voltage: 1.4 V Max Surge Current: 60 A Ir - Reverse Current: 300 nA Recovery Time: 18 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Datenblatt: HFA08TB60S.... -
neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 09.02.2011Preis25.00 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 08.06.2020Preis50.00 EUR zzgl. MwSt.
CM100DY-24NF
Hersteller: Mitsubishi SemiconductorHigh Power IGBT Module 1200V / 100A DC Collector Current: 100A Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.2kV Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV Power Dissipation Pd: 650W Transistor Case Style: Module No. of Pins: 7Pins Operating Temperature Max: 150°C Datenblatt: CM100DY-24NF.pdf...
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neuheitenIm Shop seit: 09.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 09.02.2011Preis1.25 EUR zzgl. MwSt.
GL451V
Hersteller: Sharp SemiconductorBeschreibung: Bidirectional Emission Type Infrared Light Emitting Diode Datenblatt: GL451.pdf... -
neuheitenIm Shop seit: 04.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 15.03.2018Preis12.50 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 04.02.2011Zuletzt bearbeitet am: 01.10.2021Preis0.56 EUR zzgl. MwSt.
IRFL9110TRPBF
Hersteller: International RectifierP-Channel HEXFET® Power MOSFET 100V/1,1A Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 1.1 A Rds On - Drain-Source Resistance: 1.2 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V Qg - Gate Charge...
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