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  • GT60M102
    neuheiten
    Im Shop seit: 18.02.2010
    Zuletzt bearbeitet am: 19.09.2025

    GT60M102

    Hersteller: Toshiba
    N-Channel IGBT Maximum Power Dissipation Ptot: 100 W Maximum Collector-Emitter Voltage Vce: 900 V Maximum Collector Current Ic: 60 A at 25C Collector-E...
    Preis7.00 EUR zzgl. MwSt.
  • BUF654
    neuheiten
    Im Shop seit: 17.02.2010
    Zuletzt bearbeitet am: 17.02.2010

    BUF654

    Hersteller: Vishay
    Beschreibung: Silicon NPN High Voltage Switching Transistor 400V / 12A Datenblatt: BUF654.pdf...
    Preis0.75 EUR zzgl. MwSt.
  • FES8JT
    neuheiten
    Im Shop seit: 17.02.2010
    Zuletzt bearbeitet am: 17.02.2010

    FES8JT

    Beschreibung: Ultrafast Plastic Rectifier 600V / 8A Datenblatt: FES8JT.pdf...
    Preis0.50 EUR zzgl. MwSt.
  • GT60M102
    neuheiten
    Im Shop seit: 18.02.2010
    Zuletzt bearbeitet am: 19.09.2025
    Preis7.00 EUR zzgl. MwSt.

    GT60M102

    Hersteller: Toshiba
    N-Channel IGBT Maximum Power Dissipation Ptot: 100 W Maximum Collector-Emitter Voltage Vce: 900 V Maximum Collector Current Ic: 60 A at 25C Collector-Emitter saturation Voltage, typ Vcesat: 3.8(max) V at 25C Maximum Junction Temperature Tj: 150 C Datenblatt: GT60M102.pdf...
  • BUF654
    neuheiten
    Im Shop seit: 17.02.2010
    Zuletzt bearbeitet am: 17.02.2010
    Preis0.75 EUR zzgl. MwSt.

    BUF654

    Hersteller: Vishay
    Beschreibung: Silicon NPN High Voltage Switching Transistor 400V / 12A Datenblatt: BUF654.pdf...
  • FES8JT
    neuheiten
    Im Shop seit: 17.02.2010
    Zuletzt bearbeitet am: 17.02.2010
    Preis0.50 EUR zzgl. MwSt.

    FES8JT

    Beschreibung: Ultrafast Plastic Rectifier 600V / 8A Datenblatt: FES8JT.pdf...
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