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neuheitenIm Shop seit: 16.01.2023Zuletzt bearbeitet am: 14.04.2026ISZ080N10NM6
OptiMOS(TM) 6 Power-Transistor, 100 V Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Contin...Preis1.10 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 13.08.2013Zuletzt bearbeitet am: 06.09.2022SMTPA200
Trisil™ For Telecom Equipment Protection Maximum Holding Current: 150 mA Peak Reverse Repetitive Voltage: 200 V Product Dimensions: 4.6 x 3.95 x 2.45 mm ...Preis0.25 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 26.03.2009Zuletzt bearbeitet am: 11.04.20192SK1530-Y(F)
Silicon N Channel MOSFET For High-Power Amplifier Application Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Id - Continuous ...Preis8.00 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 12.10.2020Zuletzt bearbeitet am: 25.08.2025GAL22V10D-25LPN
High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic™ Number of Macrocells: 10 Maximum Operating Frequency: 83.3 MHz Propagation Delay - Max: 25 ns Operating...Preis9.20 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 23.04.2013Zuletzt bearbeitet am: 29.01.2026MT29F16G08ABABAWP-AIT:B
16GB NAND Flash Memory Technology: FLASH - NAND Memory Size: 16Gbit Memory Organization: 2G x 8 Memory Interface: Parallel Timing Type: Asynchronous D...Preis23.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 25.01.2016Zuletzt bearbeitet am: 26.08.2024IRL1004PBF
HEXFET N-Channel Power MOSFETs, 40V / 130A / 6.5mOhm Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 4...Preis0.75 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 16.01.2023Zuletzt bearbeitet am: 14.04.2026Preis1.10 EUR zzgl. MwSt.
ISZ080N10NM6
OptiMOS(TM) 6 Power-Transistor, 100 V Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 75 A Rds On - Drain-Source Resistance: 8.04 mOhms Vgs - Ga... -
neuheitenIm Shop seit: 13.08.2013Zuletzt bearbeitet am: 06.09.2022Preis0.25 EUR zzgl. MwSt.
SMTPA200
Trisil™ For Telecom Equipment Protection Maximum Holding Current: 150 mA Peak Reverse Repetitive Voltage: 200 V Product Dimensions: 4.6 x 3.95 x 2.45 mm Repetitive Peak Forward Blocking Voltage: 200 V Repetitive Peak Off-State Curr... -
neuheitenIm Shop seit: 26.03.2009Zuletzt bearbeitet am: 11.04.2019Preis8.00 EUR zzgl. MwSt.
2SK1530-Y(F)
Silicon N Channel MOSFET For High-Power Amplifier Application Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Id - Continuous Drain Current: 12 A Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Fall Time: 60 ns Rise Ti...
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neuheitenIm Shop seit: 12.10.2020Zuletzt bearbeitet am: 25.08.2025Preis9.20 EUR zzgl. MwSt.
GAL22V10D-25LPN
High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic™ Number of Macrocells: 10 Maximum Operating Frequency: 83.3 MHz Propagation Delay - Max: 25 ns Operating Supply Voltage: 5 V Operating Supply Current: 90 mA Minimum Operating Tempera... -
neuheitenIm Shop seit: 23.04.2013Zuletzt bearbeitet am: 29.01.2026Preis23.00 EUR zzgl. MwSt.
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B
16GB NAND Flash Memory Technology: FLASH - NAND Memory Size: 16Gbit Memory Organization: 2G x 8 Memory Interface: Parallel Timing Type: Asynchronous Data Bus Width: 8 bit Voltage - Supply: 2.7V to 3.6V Supply Current - Max: 50 m... -
neuheitenIm Shop seit: 25.01.2016Zuletzt bearbeitet am: 26.08.2024Preis0.75 EUR zzgl. MwSt.
IRL1004PBF
HEXFET N-Channel Power MOSFETs, 40V / 130A / 6.5mOhm Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Id - Continuous Drain Current: 130 A Rds On - Drain-Source Resistance: 9 m...
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