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neuheitenIm Shop seit: 07.05.2010Zuletzt bearbeitet am: 17.07.2018BAP70-03
Silicon PIN Diode VR continuous reverse voltage: 50 V IF continuous forward current: 100 mA Ptot total power dissipation Ts = 90 °C: 500 mW Tstg storage...Preis0.10 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 10.03.2014Zuletzt bearbeitet am: 12.07.2021
BB545-E7904
Silicon Variable Capcitance Diode Capacitance at Vr, F: 2.2pF at 28V, 1MHz Capacitance Ratio: 11 Capacitance Ratio Condition: C1/C28 Voltage - Peak R...Preis0.10 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 29.11.2010Zuletzt bearbeitet am: 19.02.2013BB619
Beschreibung: Silicon Variable Capacitance Diode Datenblatt: BB619.pdf...Preis0.30 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 15.10.2011Zuletzt bearbeitet am: 28.08.2013BBY31
Beschreibung: UHF Variable Capacitance Diode Datenblatt: BBY31.pdf...Preis0.10 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 26.11.2008Zuletzt bearbeitet am: 20.09.2010BD433
Beschreibung: NPN Transistor for Medium Power Linear and Switching Applications Datenblatt: BD433.pdf...Preis0.15 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenIm Shop seit: 19.04.2021Zuletzt bearbeitet am: 19.04.2021BSS84P
MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous...Preis0.05 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenIm Shop seit: 07.05.2010Zuletzt bearbeitet am: 17.07.2018Preis0.10 EUR zzgl. MwSt.
BAP70-03
Silicon PIN Diode VR continuous reverse voltage: 50 V IF continuous forward current: 100 mA Ptot total power dissipation Ts = 90 °C: 500 mW Tstg storage temperature: -65 +150 °C Tj junction temperature: -65 +150 °C High voltage, c... -
neuheitenIm Shop seit: 10.03.2014Zuletzt bearbeitet am: 12.07.2021Preis0.10 EUR zzgl. MwSt.
BB545-E7904
Silicon Variable Capcitance Diode Capacitance at Vr, F: 2.2pF at 28V, 1MHz Capacitance Ratio: 11 Capacitance Ratio Condition: C1/C28 Voltage - Peak Reverse (Max): 30V Diode Type: Single Operating Temperature TJ: -55C to 150C ... -
neuheitenIm Shop seit: 29.11.2010Zuletzt bearbeitet am: 19.02.2013Preis0.30 EUR zzgl. MwSt.
BB619
Beschreibung: Silicon Variable Capacitance Diode Datenblatt: BB619.pdf...
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neuheitenIm Shop seit: 15.10.2011Zuletzt bearbeitet am: 28.08.2013Preis0.10 EUR zzgl. MwSt.
BBY31
Beschreibung: UHF Variable Capacitance Diode Datenblatt: BBY31.pdf... -
neuheitenIm Shop seit: 26.11.2008Zuletzt bearbeitet am: 20.09.2010Preis0.15 EUR zzgl. MwSt.
BD433
Beschreibung: NPN Transistor for Medium Power Linear and Switching Applications Datenblatt: BD433.pdf... -
neuheitenIm Shop seit: 19.04.2021Zuletzt bearbeitet am: 19.04.2021Preis0.05 EUR zzgl. MwSt.
BSS84P
MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 170 mA Rds On - Drain-Source Resistance: 5.8 Ohms Vgs - Gate-S...
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