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K...
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neuheitenK4S161622E-TC70
Beschreibung: 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL Datenblatt: K4S161622E.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 210 Preis4.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenK4S641632E-TI75
Beschreibung: 64Mbit - 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM Datenblatt: K4S641632E.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 96 Preis3.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenK4T1G084QD-ZCE6
1 Gb (128Mx8) DDR2-667 5-5-5 SDRAM JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply VDDQ = 1.8V ± 0.1V Burst Length: 4 , 8(Interleave/Nibble sequential) Pr...Marke : Samsung Anzahl : 164 Preis3.00 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenK4T1G164QF-BCF7
1GB (64Mx16) F-die DDR2 SDRAM Datenblatt: K4T1G164QF.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 91 Preis5.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenK6T0808C1D-GF70
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM Datenblatt: K6T0808C1D.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 20 Preis2.50 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenK6T0808C1D-GL70
Beschreibung: 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM Datenblatt: K6T0808C1D.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 271 Preis2.50 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenK6T1008C2E-GB70
128K x 8 bit Low Power CMOS Static RAM Datenblatt: K6T1008C2E.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 0 Preis0.77 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenK6T1008C2E-GL55
Beschreibung: 128K x 8 bit Low Power CMOS Static RAM Datenblatt: K6T1008C2E.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 120 Preis2.50 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenK6X0808C1D-GF55
32Kx8 bit Low Power Full CMOS Static RAM Process Technology: Full CMOS Organization: 32K x 8 Power Supply Voltage: 4.5-5.5V Low Data Retention Voltage: ...Marke : Samsung Anzahl : 220 Preis2.78 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenK6X1008C2D-PF55
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM - Process Technology: Full CMOS - Organization: 128K x 8 - Power Supply Voltage: 4.5 - 5.5V - Standby ISB1, Max = 1...Marke : Samsung Anzahl : 900 Preis2.00 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenK6X1008T2D-PF70
Beschreibung: 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM Datenblatt: K6X1008.pdf...Marke : Samsung Anzahl : 191 Preis2.00 EUR zzgl. MwSt.
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