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neuheitenSI1426DH-T1-E3
Beschreibung: N-Channel 30 V (D-S) MOSFET Datenblatt: SI1426DH.pdf...Marke : Vishay Anzahl : 2500 Preis0.15 EUR zzgl. MwSt. -
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SI1912EDH-T1-E3
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FET Type: Dual N-Channel FET Feature: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (...Marke : Vishay Anzahl : 2000 Preis0.25 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenSI2302ADS-T1-E3
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V Current - Continuous Drain (...Marke : Vishay Anzahl : 1500 Preis0.25 EUR zzgl. MwSt. -
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SI2303BDS-T1-E3
Single P-Channel, MOSFET Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain C...Marke : Vishay Anzahl : 4224 Preis0.50 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenSI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel Technology: Si Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous...Marke : Vishay Anzahl : 2000 Preis0.45 EUR zzgl. MwSt.
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SI2307DS-T1
Beschreibung: Single P-Channel, MOSFET -30V / -3A / 0,064 Ohm Datenblatt: SI2307DS.pdf...Marke : Vishay Anzahl : 2800 Preis0.35 EUR zzgl. MwSt. -
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SI2308BDS-T1-GE3
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vds = 60V - Rdson= 0.156 Ohm at Vgs=10V - ID = 2.3A - Qg = 2.3nC - APPLICATIONS: Battery Switch, DC/DC Converter Dat...Marke : Vishay Anzahl : 2000 Preis0.35 EUR zzgl. MwSt.
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SI2325DS-T1-GE3
MOSFET -150V Vds 20V Vgs Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V Id - Continuous Drain Current: 530 mA Rds On - Drain-...Marke : Vishay Anzahl : 0 Preis1.06 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenSI3443BDV-T1-E3
Beschreibung: P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Datenblatt: SI3443BDV.pdf...Marke : Vishay Anzahl : 1650 Preis0.30 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenSI4411DY-T1-E3
Beschreibung: P-Channel MOSFET -30V/-13A/0,008 Ohm Datenblatt: SI4411DY.pdf...Marke : Vishay Anzahl : 700 Preis0.60 EUR zzgl. MwSt.
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neuheitenSI4966DY-T1-E3
Beschreibung: Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Datenblatt: SI4966DY.pdf...Marke : Vishay Anzahl : 1750 Preis0.50 EUR zzgl. MwSt. -
neuheitenSI5486DU-T1-GE3
N-Channel MOSFET Drain to Source Voltage Vdss: 20 V Current - Continuous Drain Id: 12A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max): ...Marke : Vishay Anzahl : 2000 Preis1.05 EUR zzgl. MwSt.
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