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SI1912EDH-T1-E3
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Produkt 22 von 48
Dieses Produkt haben wir am Dienstag, den 18. September 2012 in unseren Katalog aufgenommen.

SI1912EDH-T1-E3

Artikelnummer 12613
Hersteller Vishay
Lagerbestand: 2000
Ident-Code SI1912EDHT1E3
Date Code 2006+
VPE 1
Verpackung cut tape
Bauform SC70-6
RoHs-konform ja
Preis zzgl. MwSt.:
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Preise pro Stück0.25 EUR0.20 EUR0.18 EUR0.15 EUR
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Bewertungen
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FET Type: Dual N-Channel
FET Feature: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Continuous Drain Current (Id): 1.13A
Rds On (Max): 280 mOhm
Vgs(th) (Max): 450mV
Gate Charge (Qg): 1nC
Max Power: 570mW
Operating Temperature: -55°C / 150°C


Datenblatt: SI1912EDH.pdf