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Produkt 4 von 4

Dieses Produkt haben wir am Mittwoch, den 29. März 2017 in unseren Katalog aufgenommen.

4N23

Hersteller	Micropac Industries
Lagerbestand:	52
Ident-Code	4N23
Date Code	1993+
VPE	1
Verpackung	Box
Bauform	TO-39
RoHs-konform	nein

Preis zzgl. MwSt.:

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Preise pro Stück	15.00 EUR	14.60 EUR	14.00 EUR
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Beschreibung

A Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) infrared LED and a high gain N-P-N silicon phototransistor packaged in a hermetically sealed metal case

Input to Output Voltage ±1 kV
Emitter-Collector Voltage 7 V
Collector-Emitter Voltage 40 V
Collector-Base Voltage 45 V
Reverse Input Voltage 2 V
Input Diode Continuous Forward Current at (or below) 25°C Free-Air Temperature (Note 1) 40mA
Peak Forward Input Current (Value applies for tw < 1 PRR < 300 pps) 1 A
Continuous Collector Current 50 mA
Continuous Transistor Power Dissipation at (or below) 25°C Free-Air Temperature (Note 2) 300 mW
Storage Temperature -65°C to +125°C
Operating Free-Air Temperature Range -55°C to +125°C
Lead Solder Temperature (10 seconds max., 1/16” from case) 240°C

Datenblatt: 4N23.pdf