Top

Bitte beachten Sie, wir sind vom 06.05. bis zum 21.05. im Urlaub! In dieser Zeit können wir Ihre Bestellung nicht bearbeiten!
Please note, we will be closed from 05/06 to 05/21 for vacations. During this time we can`t process your order!
IXTK110N30
Vorheriges
Nächstes
Produkt 2 von 2
Dieses Produkt haben wir am Mittwoch, den 02. Juni 2021 in unseren Katalog aufgenommen.

IXTK110N30

Hersteller IXYS
Lagerbestand: 125
Ident-Code IXTK110N30
Date Code 11+
VPE 25
Verpackung tube
Bauform TO-264
RoHs-konform ja
Preis zzgl. MwSt.:
Ihre gewünschte Anzahl1+50+ 100+ 
Preise pro Stück10.50 EUR10.38 EUR10.10 EUR
Sie sparen- 1%4%
Ihre gewünschte Anzahl:

 

Bewertungen
Power MOSFET

Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 300 V
Id - Continuous Drain Current: 110 A
Pd - Power Dissipation: 730 W
Rds On - Drain-Source Resistance: 26 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C

Datenblatt: IXTK110N30.pdf